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2024-05-23 11:09:18

外延石墨烯中二维GaNx形成机理

通过将Ga嵌入SiC上的外延石墨烯(EG)中,然后在氨中氮化,可以形成超薄2D GaNx。而石墨烯中的缺陷可以有效实现插层,但缺陷的性质和作用仍然尚未明确。近日,宾夕法尼亚州立大学Joan M. Redwing结合实验和理论研究,研究了石墨烯层厚度和化学功能化对Ga嵌入和2D GaNx形成的影响。
 
本文要点:
1) 当石墨烯暴露于空气或He/O2等离子体时,与未经化学改性的较厚区域相比,SiC上台阶附近石墨烯的薄缓冲层区域容易被氧功能化。作者发现氧官能化能够抑制Ga插层,使Ga液滴在表面上积聚。相比之下,Ga在不含氧的较厚石墨烯区域中容易插在EG和SiC之间。

2) 当在Ga暴露后立即进行NH3退火时,仅在氧官能化区域中观察到2D GaNx的形成,并且插在较厚非官能化石墨烯下的Ga不能转化为GaNx。密度泛函理论计算表明,石墨烯的氧官能化改变了Ga和NH3与石墨烯表面的结合能。石墨烯上羟基的存在抑制了Ga与表面的结合;然而,它增强了石墨烯表面对NH3的化学反应性,即NH3反过来增强了Ga结合并促进了2D GaNx的形成。通过修改EG工艺以生产氧官能化缓冲层石墨烯,作者在整个衬底表面上获得了均匀插入的2D GaNx



Anushka Bansal, et al. Toward a Mechanistic Understanding of the Formation of 2D-GaNx in Epitaxial Graphene. ACS Nano 2022
DOI: 10.1021/acsnano.2c07091
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c07091

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