V. Srivastava等人利用无机熔融盐作为反应介质（如 CsBr:LiBr:KBr）在超过380℃高温下，以预先合成的InP和InAs QDs作为前驱体通过置换反应制备了一系列In1–xGaxP 和 In1–xGaxAs QDs。该方法可以便捷地调控QDs的组成和尺寸。相比于核壳结构的InP/ZnS，掺杂Ga之后的 In1–xGaxP/ZnS 可以使得QDs的发光效率大幅提升， 其量子产率最高可达50%。Vishwas Srivastava, Dmitri V. Talapin*, et al. Colloidal Chemistry in Molten Salts: Synthesis of Luminescent In1–xGaxP and In1–xGaxAs Quantum DotsJ. Am. Chem. Soc., DOI: 10.1021/jacs.8b06971https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b06971