耦合的离子电子效应为器件和电路的开发提供了机会。二维层状材料如MoS2能够提供高度各向异性的离子传输性质，促进受控离子的迁移和器件之间有效的离子耦合。密歇根大学Wei D. Lu 课题组报道了MoS2薄膜的可逆调制，通过控制Li+在电场中的迁移与局部2H-1T'相变保持一致，其中局部Li+浓度的增加/减少导致2H（半导体）和1T'（金属）相之间的转变，由此产生的装置显示出优异的忆阻行为。Li+高的面内迁移率能够允许多个器件通过局部离子交换直接相互耦合，致使观察到生物学中的突触竞争和突触合作效应。这些结果证明了通过场驱动的离子过程直接调制二维材料的潜力，并且可以用于基于耦合离子电子效应的电子和能量设备，以及人工神经网络的实现。 Xiaojian Zhu, Da Li, Xiaogan Liang, Wei D. Lu, Ionic modulation and ionic coupling effects in MoS2 devices for neuromorphic computing[J], Nature Materials, 2018.DOI: 10.1038/s41563-018-0248-5https://www.nature.com/articles/s41563-018-0248-5