2024-05-06 11:15:23
具有高空穴迁移率和非饱和巨磁电阻的新型二维金属NaCu4Se4
Mercouri G. Kanatzidis课题组通过在熔融的聚硒化铝熔剂中与CuO和Cu反应制备了新的化合物NaCu4Se4,CuO的存在对其合成具有出乎意料的关键性。该化合物具有层状六方结构(空间群P63/mmc,由Na+分隔的无限2D [Cu4Se4]-板组成。 XPS表明NaCu4Se4具有混合价态,形式为(Na+)(Cu+)4(Se2-)(Se-)(Se2)2-。 NaCu4Se4是p型金属,其载流密度为~1021 cm-3,通过电子传输测量,在2K下具有~808cm2 V-1s-1的高空穴迁移率。第一性原理计算表明,费米能级周围的态密度由Cu-d和Se-p轨道组成。在2 K时,观察到非常大的横向磁阻~1400%,对场的非饱和,线性依赖性高达9 T。该结果表明,使用金属氧化物化学前体可以打开通向新的低维化合物的反应路径。 Haijie Chen, Joao N. B. Rodrigues, Alexander J. E. Rettie, Tze-Bin Song, Daniel G. Chica, Xianli Su, Jin-Ke Bao, Duck Young Chung, Wai-Kwong Kwok, Lucas K. Wagner, Mercouri G. Kanatzidis, High Hole Mobility and Nonsaturating Giant Magnetoresistance in the New 2D Metal NaCu4Se4 Synthesized by a Unique Pathway[J], J. Am. Chem. Soc., 2018.DOI: 10.1021/jacs.8b11911https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b11911