过渡金属二硫化物基范德华异质结中的层间激子具有长寿命，以及独特的自旋谷物理现象，这使其在下一代光子学、谷电子学器件中具有应用前景。然而，虽然层间激子的发射特征已有相关研究，但对其能谷态的有效操控（信息编码的必要条件）依然缺乏。有鉴于此，洛桑联邦理工学院Andras Kis等人展示了对MoSe2/WSe2异质结层间激子的全面电场调控。作者采用六方氮化硼（h-BN）对晶格匹配的异质结进行了封装，在圆偏振激发下确定出两项圆偏振态相反的窄层间跃迁（分别维持、逆转了入射光的偏振状态）。通过电场控制这两项跃迁的相对强度，作者实现了可调节发射强度和波长的偏振开关。在外加磁场下，这两项跃迁均具有较大的g因子。作者在莫尔条纹增强的禁阻跃迁中阐释了以上结果。最后，作者指出，该项研究在实现控制层间激子偏振态的同时，也意味着操控实际装置中的谷自由度向前迈进了一步。                                             Ciarrocchi A, Unuchek D, Avsar A, et al. Polarization switching and electrical control of interlayer excitons in two-dimensional van der Waals heterostructures[J]. Nature Photonics, 2018.DOI: 10.1038/s41566-018-0325-yhttps://www.nature.com/articles/s41566-018-0325-y