金属离子掺杂是精确调控钙钛矿纳米晶的光学和电学性质的有效方法。同样是三价的Bi3+和Ce3+离子掺杂对钙钛矿光电性能的影响差异巨大，而其中内在的机理还尚未有人研究。近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学Omar F. Mohammed联合美国佐治亚理工学院Jean-Luc Brédas通过计算掺杂剂缺陷形成能量和电荷转变标准深入研究了该问题。Bi3+掺杂引入了深度陷阱态（反位BiPb和空隙Bii），从而导致了PL荧光猝灭。而Ce3+掺杂剂通过反位CePb增强了CsPbBr3晶格的有序性并丰富了导带边缘状态，从而增强了PL。该工作的研究结果不仅为三价金属离子掺杂效应的机理提供了新的物理见解，而且提出了一种新的控制掺杂缺陷态的策略，以改善钙钛矿纳米晶的光学性能。Yin, J. et al. Unlocking the Effect of Trivalent Metal Doping in All-inorganic CsPbBr3 Perovskite.ACS Energy Letters 2019DOI:10.1021/acsenergylett.9b00209文章链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsenergylett.9b00209