亚硫酸（IV）锡（SnS2）是一种典型的六方晶胞层状材料，基于转化和合金化过程，具有1136 mAh g -1的高理论容量（钠电）。西北工业大学黄维和南洋理工大学Ting Yu团队采用了一系列可控程序，导致三种SnS2纳米片分别呈现“更薄”和“更小”的3D形状演变，逐渐暴露（001）和（100）面。该团队自主研发的一种氮磷共掺杂多孔碳（NPC）作为SnS2纳米片负载骨架，用于增强负极电导率和电极稳定性，具有完全暴露活性面的SnS2纳米片显示出最佳的Na+储存性能。此外，当逐步暴露SnS2纳米片的不同活性面时，Na+储存动力学显示出不同的调节，产生不同程度的赝电容响应和倍率性能的改善。该团队通过DFT计算了SnS2晶体结构中Na储存和扩散的理论情况，证明不同暴露面具有不同的Na+储存动力学。 Xin Xu, Ruisheng Zhao, Bo Chen, Lishu Wu, Chenji Zou, Wei Ai, Hua Zhang, Wei Huang, Ting Yu, Progressively Exposing Active Facets of 2D Nanosheets toward Enhanced Pseudocapacitive Response and High‐Rate Sodium Storage. Advanced Materials, 2019.DOI: 10.1002/adma.201900526https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201900526