台湾Kuang-Lieh Lu、Kuei-Hsien Chen, Tien-Wen Tseng和Li-Chyong Chen团队设想将(-M-S-)n链扩展为(-M-S-)n平面，其能够沿两个方向发生电荷转移，从而产生具有总体高导电率的MOF。基于此idea，研究者报道了具有铜-硫平面的Cu基MOF单晶的制备。该MOF由二维(-Cu-S-)n平面组成，是Cu(NO3)2和6,6'-二硫代烟酸在水热条件下原位裂解S-S键合成的。研究发现该MOF单晶在MOF中具有低活化能（6meV），小带隙（1.34eV）和最高的电导率（10.96 S cm-1）。从而证明了将(-M-S-)n平面集成在MOF中以实现高导电性方法的有效性。Abhishek Pathak, Jing-Wen Shen, Muhammad Usman, Ling-Fang Wei, Shruti Mendiratta, Yu-Shin Chang, Batjargal Sainbileg, Chin-May Ngue, Ruei-San Chen, Michitoshi Hayashi, Tzuoo-Tsair Luo, Fu-Rong Chen, Kuei-Hsien Chen, Tien-Wen Tseng, Li-Chyong Chen, Kuang-Lieh Lu, Integration of a (–Cu–S–)n plane in a metal–organic framework affords high electrical conductivity. Nature Communications, 2019.DOI: 10.1038/s41467-019-09682-0https://www.nature.com/articles/s41467-019-09682-0