单层二硫化钼（MoS2）已经成为用于析氢反应和非贵重的电催化剂新星材料之一。然而，其性能在很大程度上受到其基底面内活性位点的低密度和低反应性的限制。中科院物理所联合多家单位报道了单层MoS2基底面中的畴边界可以作为活性位点，大大提高其析氢反应性能。研究了两种类型的有效域边界，即2H-2H域边界和2H-1T相界。基于这两种畴边界的多层次设计，实现了优异的析氢反应催化活性，在酸性和碱性条件下的长期稳定性和普遍性。Jianqi Zhu, Zhi-Chang Wang, Huijia Dai, Qinqin Wang, Rong Yang, Hua Yu, Mengzhou Liao, Jing Zhang, Wei Chen, Zheng Wei, Na Li, Luojun Du, Dongxia Shi, Wenlong Wang, Lixin Zhang, Ying Jiang & Guangyu Zhang. Boundary activated hydrogen evolution reaction on monolayer MoS2.Nat. Commun. 10, 1348Doi:10.1038/s41467-019-09269-9.https://doi.org/10.1038/s41467-019-09269-9