反双极性器件同时存在正跨导和负跨导，在逻辑电路设计中有着广泛的应用前景如倍频器，二进制相/频移键控电路和三值反相器，其优势在于可以简化电路设计，进一步提高芯片集成度。但高性能反双极性器件的制备，一直是一个难题。近日，天津大学胡晓东、刘晶团队和南加州大学Chongwu Zhou团队，利用一种快速、非易失的光电掺杂方法，实现了任意MoTe2/MoS2异质结器件由双极性到反双极性可控转变，且该反双极性器件展现超高的开关比(达到105 ，相比于之前同行的工作，提升了1-4个数量级)和大的开态电流(mA级)。基于该反双极性器件，团队设计了可调的多值反相器，有望打破基本的2-bit位限制，实现高密度数据存储。
Enxiu Wu et al. Photo-Induced Doping to Enable Tunable and High-Performance Anti-Ambipolar MoTe2/MoS2 Heterotransistors, ACS NANO, 2019.
DOI: 10.1021/acsnano.9b00201
https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acsnano.9b00201