高亮度的量子点发光二极管（QLED）在照明和显示方面具有潜在的应用前景。在高电流密度（J）下实现高亮度。但是，在高J时，效率会大大降低，从而限制了可达到的亮度。这种臭名昭著的现象被称为效率滚降，这很可能是由俄歇和/或热诱导的发射猝灭引起的。近日，北京大学Shengdong Zhang联合南方科技大学Shuming
Chen阐明了器件工作期间产生的焦耳热会显著影响QLED的滚降特性。为了实现超高亮度和高效的QLED，研究人员通过用1-十二烷硫醇代替常规的油酸配体来提高QD的热稳定性。通过进一步使用具有高导热率的基板，可以有效地散发以高J产生的焦耳热。由于有效的热管理，热诱导的发射猝灭得到了抑制，因此，QLED表现出16.6％的高外部量子效率（EQE）。此外，由于降低了效率衰减和增强的散热性能，QLED可以在高达3885 mA / cm2的极高J下工作，从而使该器件具有1.6×106 cd / cm2的创纪录高亮度。 该工作证明了热管理对于开发无滚降和超高亮度QLED器件的重要性，该器件可用于多种应用，包括照明，透明显示器，投影显示器，户外数字标牌，光疗等。Sun, Y. Zhang, S. Chen, S. et al. Investigation on Thermally Induced Efficiency Roll-Off: Towards
Efficient and Ultra-Bright Quantum-Dot Light-Emitting Diodes. ACS Nano 2019.DOI:10.1021/acsnano.9b04879https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.9b04879