在材料合成过程中产生的晶界会影响材料的固有特性及其在高端应用中的潜力。这种效应经常在使用化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜中观察到，因此在过去十年中引起了人们对控制无晶界石墨烯单晶生长的强烈兴趣。增大石墨烯尺寸和减小石墨烯晶界密度的主要方法分为单种子法和多种子法，其中成核密度降低和成核取向对准是在成核阶段实现的。近日，北京大学刘忠范，彭海琳等总结了这两种方法的代表性方法的详细合成策略、相应的机理和关键参数，目的是提供全面的知识并概述单晶石墨烯薄膜可控生长的最新状态。最后，讨论了合成大面积单晶石墨烯薄膜的机遇与挑战。Jincan Zhang, Hailin Peng,* Zhongfan Liu*, et al. Controlled Growth of Single‐Crystal Graphene Films. Adv. Mater. 2019, DOI: 10.1002/adma.201903266https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201903266